Etat de l’art des commutateurs RF

CHAPITRE 1 : Etat de l’art des commutateurs RF

I.1 Introduction

Les commutateurs RF sont des composants utilisés pour sélectionner un signal RF ou l’acheminer vers un canal voulu, utilisés dans la plupart des systèmes hyperfréquences dédiés pour les secteurs de l’aéronautique, la défense, et……..Comparés aux autres types de commutateurs, statiques (transistors FET et diode PIN),et mécaniques (commutateurs coaxiaux et relais électromécaniques), les commutateurs RF présentent plusieurs avantages en termes de pertes de transmission, d’isolation et de consommation en puissance qui est très faible.

Dans ce chapitre nous allons présenter des généralités sur ces commutateurs en citant leur principe de fonctionnement par l’actionnement électrostatique, ensuite nous allons traiter l’effet de l’intégration des matériaux diélectriques à forte permittivité sur les performances de ces commutateurs.

I.2 Les commutateurs RF

I.2.1 Définition et Modèle électrique

Un commutateur est un composant permettant d’acheminer des signaux hautes fréquences par des voies de transmission, sous l’effet d’un actionnement externe et il présente deux états dont les modèles électriques sont les suivants (Fig.1) :

Figure 1 : Modèle électrique d’un commutateur RF

Un état passant (ON) assurant la transmission du signal, qui est modélisé par un court-circuit (impédance nulle).

Un état bloqué (OFF) ou le signal ne peut pas traverser le composant, et qui peut être modélisé par un circuit-ouvert (impédance infinie).

Dans le cas réel, et aux fréquences microondes ces commutateurs ne sont pas parfaits, ils présentent généralement une petite résistance R_on (faible impédance) á l’état passant, et une faible capacité C_off (forte impédance) á l’état bloqué [2].

I.2.1 Principe de fonctionnement

Un commutateur RF est constitué d’une poutre métallique mobile mono-encastré (cantilever) (Fig.2.a) ou bi-encastré (pont) (Fig.2.b), il existe dans la bibliographie deux types de commutateurs, ceux á contact résistive appelé aussi commutateurs ohmiques, et ceux á contact capacitive [2].

Figure 2 : dispositif de commutation RF par pont (a) et par cantilever (b)

Dans ce travail on va s’intéresser aux commutateurs par cantilever actionnés électrostatiquement et avec un contact ohmique appelé aussi contact métal-métal, où les surfaces de la poutre mobile métallique et de la ligne de transmission métallique sont directement mis en contact lors de l’actionnement du dispositif [3].

Lorsqu’on applique une tension entre l’électrode inférieure (électrode d’actionnement) et l’électrode supérieure (électrode mobile) (Fig.3.c), une force électrostatique se crée et tire le cantilever vers le

bas (Fig.3.d), un court-circuit se produit entre les deux bornes de la ligne RF donc la transmission du signal RF, une fois la tension d’alimentation est supprimée le cantilever est de retour à sa position original [4].

Figure 3 : dispositif de commutation RF á l’état haut (c) et á l’état bas (d)

4eme après dernier

I.2.3 Les performances électriques

Les micro-commutateurs ohmiques sont semblables aux interrupteurs classiques, ils

passent d’une faible capacité à l’état haut à une faible résistance à l’état bas. Dans ce contexte,

la fréquence maximale de fonctionnement ou la fréquence de coupure des composants

MEMS capacitifs ou ohmiques est donné par l’expression suivante : 1/2piCR, Où C’est la valeur de capacité à l’état haut et R est la résistance à l’état bas, cette fréquence est généralement très grande

Exemple de commutateur ohmique : avant dernier, article blondy +pothier

I.3 Effet de l’intégration des matériaux diélectriques à forte permittivité

I.2.3 Les performances électriques

I.3 Conclusion

DRX:2eme avant dernier (thèse julien Giverneau) aussi caractérisation de couche minces déposés (suivre le même plan que le dioxyde de vanadium)

Regarder aussi son chapitre 2

Chapitre2 et 3

Thèse kevin Garello : sommaire

Thèse Youjean CHANG: sommaire

REFERENCES

[1] J.C. Orlianges

“Optimisation du dépôt par ablation laser de films minces d’alumine et de carbone tétraédrique amorphe pure et dopé, propriétés des couches et intégration dans la fabrication de composants MEMS ”, Thèse de doctorat, Novembre. 2003, Limoges

[2] A. Pothier

“Conception, réalisation et test de micro commutateurs micro-électromécaniques et application aux circuits hyperfréquences reconfigurables ”, Thèse de doctorat, Déc. 2003, Limoges.

[3] J. Giverneau

“Etude, conception et fabrication de dispositifs micro-ondes à base de matériaux intelligents type VO2 ”, Thèse de doctorat, Mars. 2010, Limoges.

[4] J. Haslina, L. N. Fong, M.Y. N. Amziah

“Design and Simulation of High Performance RF MEMS Series Switch”, RSM2011 Proc., Kota Kinabalu, Malaysia, 2011.

[5] B.Y. Darani, E. A. Sani, R.Shayanfar, A. Shams and M.H. Mirmozafar

“Low actuation voltage RF MEMS Switch for WiMAX applications”, IEEE Int. RF and Microwave Conf., Seremban, Malaysia, Dec. 2011.